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參數資料
| 型號： | MG15D4HM1 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TECHNICAL DATA |
| 中文描述： | 技術數據 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | MG15D4HM1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG15D6EM1 | TECHNICAL DATA |
| MG15J6ES40 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| MG180V2YS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG200Q1JS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG200Q1US41 | Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG15D6EM1 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TECHNICAL DATA |
| MG15G2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG15G2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG15G6EL1 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG15J6ES40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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