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參數資料
| 型號： | MG200Q1JS40 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | MG200Q1JS40 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q1US41 | Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes |
| MG200Q1US51 | Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes |
| MG200Q1ZS11 | IND PROX M18 SCR NC 5MM SS |
| MG200Q1ZS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG200Q2YS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| MG200Q1US1 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG200Q1US41 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG200Q1ZS11 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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