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參數資料
| 型號： | MGF0915A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | L & S BAND GaAs FET[ SMD non - matched ] |
| 中文描述： | 蜇 |
| 文件頁數： | 1/48頁 |
| 文件大小： | 1314K |
| 代理商： | MGF0915A |
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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR<GaAs FET>
MGF0915A
L & S BAND GaAs FET
[ SMD non - matched ]
DESCRIPTION
The MGF0915A GaAs FET with an N-channel schottky
Gate, is designed for use UHF band amplifiers.
FEATURES
High output power
Po=36.5 dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=23dBm
High power gain
Gp=14.5 dB(TYP.) @f=1.9GHz
High power added efficiency
η
add=50 %(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=23dBm
Hermetic Package
APPLICATION
For UHF Band power amplifiers
QUALITY
GG
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS
Vds=10V
Ids=800 mA
Rg=100
Delivery -01:
Tape & Reel(1K),
-03:
Trai(50pcs)
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Symbol
Parameter
V
GSO
Gate to sourcebreakdown voltage
Ratings
-15
Unit
V
V
GDO
Gate to drain breakdown voltage
-15
V
I
D
Drain current
3000
mA
I
GR
Reverse gate current
-10
mA
I
GF
Forward gate current
21
mA
P
T
Total power dissipation
18.7
W
Tch
Cannel temperature
175
°
C
°
C
Tstg
Storage temperature
-65 to +175
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
Parameter
I
DSS
Saturated drain current
V
GS(off)
Gate to source cut-off voltage
gm
Transconductance
Test conditions
Limits
Typ.
Unit
Min.
Max.
V
DS
=3V,V
GS
=0V
-
2400
3000
mA
V
DS
=3V,I
D
=10mA
-1
-3
-5
V
V
DS
=3V,I
D
=800mA
-
1000
-
mS
Po
Output power
V
DS
=10V,I
D
=800mA,f=1.9GHz
35.0
36.5
-
dBm
η
add
Power added Efficiency
Pin=23dBm
-
50
-
%
G
LP
Linear Power Gain
V
DS
=10V,I
D
=800mA,f=1.9GHz
13.0
14.5
-
dB
Rth(ch-c)
Thermal Resistance *1
Vf Method
-
5
8
°
C/W
*1:
Channel to case / Above parameters, ratings, limits are subject to change.
(1/48) Mitsubishi Electric Mar./2005
Fig.1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF0918A | L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ] |
| MGF0919A | L & S BAND GaAs FET [ SMD non matched ] |
| MGF0952P | L & S BAND GaAs FET [ Plastic Mold Lead-less PKG ] |
| MGF1302 | LOW NOISE GaAs FET |
| MGF1303 | LOW NOISE GaAs FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGF0915A_03 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L & S BAND GaAs FET |
| MGF0915A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0916A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0916A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0917A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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