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參數資料
| 型號： | MGFC1801 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
| 中文描述： | 用于微波低噪聲放大器，N溝道肖特基門式 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | MGFC1801 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC38V5867 | 5.8~6.75 GHZ BAND 6W INTERNALLY MATCHED GAASFET |
| MGFC38V5964 | RECTIFIER BRIDGE 10A 200V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX |
| MGFC38V6472 | RECTIFIER BRIDGE 10A 400V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX |
| MGFC39V5964 | 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC39V5258 | Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 8x15 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGFC36V3436 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3436_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3436_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET |
| MGFC36V3742A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.7 ~ 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3742A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.7 ~ 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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