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參數資料
| 型號： | MIQA-195M |
| 廠商： | MINI-CIRCUITS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | Plug-In I&Q Modulator (50ohm 185 to 205 MHz) |
| 中文描述： | 185 MHz - 205 MHz RF/MICROWAVE I/Q MODULATOR, 6.5 dB CONVERSION LOSS-MAX |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL, CASE A06, 8 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | MIQA-195M |
50
185 to 205 MHz
I&Q Modulator
Plug-In
MIQA-195M
CASE STYLE: A06
PRICE: $52.20 ea. QTY (1-9)
Outline Dimensions ( )
inch
Maximum Ratings
Operating Temperature
Pin Connections
LO (carrier)
Features
hermetically sealed metal case
excellent 3rd and 5th order harmonic
good carrier and sideband rejections
1
RF (signal)
8
I (0°)(ref.)
7
Q (90°)*
4
50 TERM EXTERNAL
2
GROUND
3,5,6
CASE GROUND
*
Q= I +90° for lower sideband suppression
3,5,6
-55°C to 100°C
Storage Temperature
-55°C to 100°C
LO Power
50mW
I&Q Current
40mA
Outline Drawing
Modulator Electrical Specifications
FREQUENCY
(MHz)
LOSS
(dB)
RF (SIGNAL/
LO (CARRIER)
I&Q
—
x
INTERNET
http://www.minicircuits.com
P.O. Box 350166, Brooklyn, New York 11235-0003 (718) 934-4500 Fax (718) 332-4661
Distribution Centers
NORTH AMERICA 800-654-7949 417-335-5935 Fax 417-335-5945 EUROPE 44-1252-832600 Fax 44-1252-837010
Mini-Circuits
ISO 9001 & ISO 14001
Certified
Mini-Circuits
REV. OR
M97465
MIQA-195M
DJ/VV/CP
060713
MIQA-195M
CONVERSION LOSS
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
185
189
193
197
201
205
FREQUENCY (MHz)
C
(
LO power + 10 dBm
MIQA-195M
HARMONIC REJECTION (LSB)
0
20
40
60
80
100
185
189
193
197
201
205
FREQUENCY (MHz)
H
R
(
3RD REJ.
5TH REJ.
LO power + 10 dBm
MIQA-195M
SIDEBAND REJECTION (LSB)
LO power + 10 dBm
35
37
39
41
43
45
185
189
193
197
201
205
FREQUENCY (MHz)
S
(
MODEL
NO.
CONVERSION
CARRIER
REJECTION
(-dBc)
SIDEBAND
REJECTION
(-dBc)
HARMONIC
SUPPRESSION
(-dBc)
3XI/Q
5XI/Q
fL
fU
Min.
Max.
σ
Max.
Typ.
Min.
Typ.
Min
Typ.
Min.
Typ
Min.
MIQA-195M
185
205
DC
5
5.6
0.10
6.5
38
30
38
30
48
45
58
55
Applications
radar
communication system
military, hi-rel application
Typical Performance Data
Sideband
Rejection
—
(x)
LSB USB
(-dBc) (-dBc)
(-dBc) (-dBc)
Carrier
Freq.
(MHz)
Conversion
Loss
—
x
(dB)
σ
(dB)
Carrier
Rejection
—
LSB USB
(x)
3rd. Harmonic
Suppression
LSB USB
(-dBc) (-dBc)
(x)
5th. Harmonic
Suppression
LSB USB
(-dBc) (-dBc)
(x)
DC
Offset
(mV)
185.00
186.50
188.00
189.00
189.50
191.00
192.50
193.50
194.00
195.50
197.00
198.00
198.50
200.00
200.50
202.00
203.00
203.50
204.50
205.00
5.60
5.60
5.60
5.60
5.59
5.59
5.59
5.59
5.58
5.58
5.58
5.58
5.57
5.58
5.58
5.58
5.57
5.57
5.57
5.57
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.02
0.03
0.02
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.02
0.03
0.02
0.03
0.03
0.02
39.87
39.95
39.88
39.91
39.88
39.76
39.64
40.04
39.57
39.15
38.64
38.43
38.27
37.95
37.80
37.23
36.87
36.64
36.20
35.96
42.64
42.51
42.29
42.13
41.95
41.88
41.32
41.09
40.99
40.43
39.99
39.68
39.38
39.04
38.83
38.09
37.64
37.44
36.98
36.44
41.48
41.31
41.14
41.01
40.97
40.85
40.77
40.67
40.65
40.52
40.41
40.36
40.31
40.17
40.11
40.01
39.91
39.82
39.74
39.69
41.50
41.31
41.17
41.01
41.00
40.88
40.76
40.66
40.66
40.50
40.45
40.35
40.31
40.21
40.10
39.99
39.93
39.79
39.76
39.74
55.49
55.07
54.59
54.45
54.40
54.02
53.58
53.38
53.20
52.75
52.61
52.53
52.41
51.99
51.99
51.96
51.76
51.73
51.53
51.64
49.15
48.98
48.72
48.70
48.68
48.54
48.33
48.28
48.16
48.00
47.96
47.72
47.74
47.60
47.56
47.45
47.38
47.36
47.32
47.20
79.33
80.07
79.11
79.29
79.50
79.84
79.22
79.56
79.68
80.31
78.35
79.79
80.05
78.17
78.51
79.84
77.80
78.95
78.55
77.88
77.29
77.46
77.26
77.02
77.74
77.26
77.41
77.42
76.94
76.48
77.12
77.68
76.06
76.04
76.18
76.57
75.84
75.34
75.42
75.46
0.47
0.47
0.47
0.48
0.48
0.47
0.47
0.49
0.49
0.49
0.50
0.51
0.50
0.51
0.52
0.53
0.54
0.54
0.54
0.55
A
B
C
D
E
F
.770
19.56
.
800
20.32
.285
7.24
.310
7.87
.370
9.40
.400
10.16
G
H
J
K
wt
.200
5.08
.20
5.08
.14
3.56
.031
0.79
grams
5.2
Operating LO power: 10±1dBm
1dB Compression: 0dBm typical
Conversion Loss: (I + Q) power, dBm - RF power, dBm
Carrier and sideband rejections measured at -5dBm I/Q power.
I&Q modulation block diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13001 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| MJE13003L-X-T60-F-K | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| MJE13003-TO-126 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| MJE13003-X-T60-F-K | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| MJE13003L-X-TA3-F-T | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MIQA-70D | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Plug-In I&Q Demodulator |
| MIR-100RK-SR3-G-NA-B-0-T | 功能描述:RES SMD 100K OHM 2% 0202 制造商:aeroflex metelics, division of macom 系列:MIR 包裝:托盤 零件狀態:在售 電阻（歐姆）:100k 容差:±2% 功率（W）:- 成分:厚膜 特性:射頻，高頻率 溫度系數:±150ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:0202（0505 公制） 供應商器件封裝:202 大小/尺寸:0.020" 長 x 0.020" 寬（0.50mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.010"（0.26mm） 端子數:2 故障率:- 標準包裝:400 |
| MIR-10RK-SR3-F-NA-B-1-T | 功能描述:RES SMD 10K OHM 1% 0202 制造商:aeroflex metelics, division of macom 系列:MIR 包裝:托盤 零件狀態:在售 電阻（歐姆）:10k 容差:±1% 功率（W）:- 成分:厚膜 特性:射頻，高頻率 溫度系數:±100ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:0202（0505 公制） 供應商器件封裝:202 大小/尺寸:0.020" 長 x 0.020" 寬（0.50mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.010"（0.26mm） 端子數:2 故障率:- 標準包裝:400 |
| MIR-1RK-SR3-F-NA-B-1-T | 功能描述:RES SMD 1K OHM 1% 0202 制造商:aeroflex metelics, division of macom 系列:MIR 包裝:托盤 零件狀態:在售 電阻（歐姆）:1k 容差:±1% 功率（W）:- 成分:厚膜 特性:射頻，高頻率 溫度系數:±100ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:0202（0505 公制） 供應商器件封裝:202 大小/尺寸:0.020" 長 x 0.020" 寬（0.50mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.010"（0.26mm） 端子數:2 故障率:- 標準包裝:400 |
| MIR-3301 | 制造商:UOT 制造商全稱:Unity Opto Technology 功能描述:SUBMINIATURE PHOTOINTERRUPTER |
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