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參數資料
型號: MJ11032
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W)
中文描述: 功率晶體管(50A條,60 - 120伏特的300W)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 153K
代理商: MJ11032
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
Curves to 100 A (Pulsed)
Diode Protection to Rated IC
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
ICM
100
Base Current — Continuous
Peak
IB
PD
2
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25 C
300
Watts
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
3.0 k
25
PNP
MJ11029
MJ11031
MJ11033
BASE
EMITTER
COLLECTOR
3.0 k
25
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11028/D
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
60–120 VOLTS
300 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
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PDF描述
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MJ15004 20 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 140 VOLTS 250 WATTS
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參數描述
MJ11032 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11032G 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11032G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ11033 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11033 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
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