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參數資料
型號: MJ15004
廠商: 永盛國際集團
英文描述: PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
中文描述: 進步黨平面硅晶體管(音頻功率放大器直流到直流轉換器)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 119K
代理商: MJ15004
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transistors designed for high
power audio, disk head positioners and other linear applications.
High Safe Operating Area (100% Tested) —
250 W @ 50 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain —
hFE = 25 (Min) @ IC = 5 Adc
1/16
from Case for
10 seconds
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ15003/D
20 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
140 VOLTS
250 WATTS
CASE 1–07
*Motorola Preferred Device
REV 7
相關PDF資料
PDF描述
MJ15004 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ15004 POWER TRANSISTORS(20A,140V,250W)
MJ15011 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS
MJ15011 COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJ15012 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS
相關代理商/技術參數
參數描述
MJ15004 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3
MJ15004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15011 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15011G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15011G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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