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參數資料
型號: MJ15004
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTORS(20A,140V,250W)
中文描述: 功率晶體管(20A條,140伏特,250瓦)
文件頁數: 1/4頁
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代理商: MJ15004
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transistors designed for high
power audio, disk head positioners and other linear applications.
High Safe Operating Area (100% Tested) —
250 W @ 50 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain —
hFE = 25 (Min) @ IC = 5 Adc
1/16
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10 seconds
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ15003/D
20 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
140 VOLTS
250 WATTS
CASE 1–07
*Motorola Preferred Device
REV 7
相關PDF資料
PDF描述
MJ15011 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS
MJ15011 COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJ15012 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS
MJ15018 4.0 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 150 WATTS
MJ15019 4.0 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 150 WATTS
相關代理商/技術參數
參數描述
MJ15004 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3
MJ15004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15011 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15011G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15011G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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