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參數資料
型號: MJF45H11
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Power Transistors
中文描述: 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 80K
代理商: MJF45H11
MJF44H11 (NPN), MJF45H11 (PNP)
http://onsemi.com
4
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
1000
0.1
Figure 4. MJF44H11 DC Current Gain
10
1
10
100
Figure 5. MJF45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJF44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJF45H11 Current Gain
versus Temperature
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
Figure 8. MJF44H11 On-Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
T
J
= 25
°
C
Figure 9. MJF45H11 On-Voltages
V
CE
= 1 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
1000
0.1
10
1
10
100
T
J
= 25
°
C
1 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
V
BE(sat)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CE(sat)
相關PDF資料
PDF描述
MJL21195 STARTER KIT, EASY 500; Output type:Relay; Temp, op. max:55(degree C); Temp, op. min:-25(degree C) RoHS Compliant: Yes
MJL21196 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJL3281A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJL4281A Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
MJL4302A Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
MJF45H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF47 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF47G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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