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參數資料
| 型號： | MJF45H11 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary Power Transistors |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MJF45H11 |
MJF44H11 (NPN), MJF45H11 (PNP)
http://onsemi.com
6
Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJL21195 | STARTER KIT, EASY 500; Output type:Relay; Temp, op. max:55(degree C); Temp, op. min:-25(degree C) RoHS Compliant: Yes |
| MJL21196 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJL3281A | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJL4281A | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
| MJL4302A | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJF45H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF47 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF47G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF6107 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:PNP SILICON POWER TRANSISTOR 7 AMPERES 70 VOLTS 34 WATTS |
| MJF6388 | 功能描述:達林頓晶體管 10A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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