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參數資料
| 型號： | MJW18020 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| 中文描述： | 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD |
| 封裝： | CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MJW18020 |
MJW18020
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain, V
CE
= 2.0 V
0.01
0.1
1.0
10
1.0
10
100
100
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
10.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.01
0.1
1.0
10
1.0
10
100
100
Figure 2. DC Current Gain, V
CE
= 5.0 V
0.1
1.0
10.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
Figure 3. Typical Collector–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 5.0
Figure 4. Typical Collector–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 10
Figure 5. Typical Base–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 5.0
Figure 6. Typical Base–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
H
F
,
H
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
,
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
I
c
/I
b
= 10
I
c
/I
b
= 5.0
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
I
c
/I
b
= 5.0
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
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