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參數資料
| 型號： | MJW18020 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| 中文描述： | 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD |
| 封裝： | CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MJW18020 |
MJW18020
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
I
C
,
10
100
1000
0
10
20
30
40
0
200
400
600
800
1000
100
1000
10000
100000
1
10
100
V
CE
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
C
C
ib
Figure 7. Typical Capacitance
C
ob
V
CE
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
DC
5 ms
1 ms
10 s
1.0 s
Extended SOA
Figure 8. Forward Bias Safe Operating Area
V
CE
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
I
C
,
Figure 9. Reverse Bias Safe Operating Area
V
BE
= 0 V
–5 V
–1.5 V
T
C
I
c
/I
b
> 4
L
C
= 500 H
125
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21193 | Silicon Power Transistors |
| MJW21194 | Silicon Power Transistors |
| MJW21195 | Silicon Power Transistors |
| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJW18020_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| MJW18020G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 450V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21192 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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