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參數資料
| 型號： | MMBAB11C6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (DRIVER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 進步黨（驅動晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | MMBAB11C6 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD101LT1 | Schottky Barrier Diodes |
| MMBD101 | ECONOLINE: RJ & RG - Dual Output from a Single Input Rail - 3kVDC & 4kVDC Isolation - Optional Continuous Short Circuit Protected - Custom Solutions Available - UL94V-0 Package Material - Efficiency to 84% |
| MMBD101 | Schottky Barrier Diodes |
| MMBD2835LT1G | Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2836LT1G | Monolithic Dual Switching Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBAEI | 制造商:Panduit Corp 功能描述: |
| MMBAWH | 制造商:Panduit Corp 功能描述: |
| MMBC1009F1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MMBC1009F2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| MMBC1009F3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR) |
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