型號: | MMBF0201NLT1G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N−Channel SOT−23 |
中文描述: | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
封裝: | CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 70K |
代理商: | MMBF0201NLT1G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBF2201NT1G | Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 |
MMBF2202PT1G | Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P-Channel SC-70/SOT-323 |
MMBT3903 | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
MMBT4123 | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
MMBT4126LT1 | General Purpose Transistor PNP Silicon |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MMBF0201NLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA SOT-23 |
MMBF0201NLT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MMBF Series N-Channel 20 V 1 Ohm 225 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23 |
MMBF0202PLT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts |
MMBF102 | 功能描述:射頻JFET晶體管 N-CHANNEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
MMBF102LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |