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參數(shù)資料
型號: MMBT2131T3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: General Purpose Transistors
中文描述: 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 318F-02, SC-59, 6 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 115K
代理商: MMBT2131T3
3–3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Figure 7. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 8. VBE(on) Voltage
Figure 9. Thermal Response Curve
1.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.6
0.4
0.2
0.3
0.01
0.0001
TIME (sec)
1.0
0.01
V
0.1
0
0.001
1.0
0.0001
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.75
0.5
V
0.25
0
0.001
0.01
VCE = 1.0 V
T
0.5
0.1
0.1
0.1
1.0
10
100
IC/IB = 100
T = 85
°
C
25
°
C
0
°
C
150
°
C
25
°
C
–40
°
C
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1 (SEE AN569)
Z
θ
JA(t) = r(t) R
θ
JA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θ
JA(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
t2
P(pk)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2132T1 43632 LOGIC CELLS 12 ROCKET IOS 2 POWER
MMBT2132T3 General Purpose Transistors
MMBT2222ATT1 General Purpose Transistor
MMBT2222ATTD General Purpose Transistor
MMBT3906L General Purpose Transistor(NPN Silicon)
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參數(shù)描述
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MMBT2132T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2132T3_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor
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