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參數資料
| 型號： | MMBT2222ATT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistor |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 463-01, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | MMBT2222ATT1 |
MMBT2222ATT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. TurnOn Time
Figure 2. TurnOff Time
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Scope rise time < 4 ns
*Total shunt capacitance of test jig, connectors, and oscilloscope.
+16 V
2 V
< 2 ns
0
1.0 to 100
μ
s,
DUTY CYCLE
≈
2.0%
1 k
+30 V
200
C
S
* < 10 pF
+16 V
14 V
0
< 20 ns
1.0 to 100
μ
s,
DUTY CYCLE
≈
2.0%
1 k
+30 V
200
C
S
* < 10 pF
4 V
1N914
1000
700
10
20
30
50
70
100
200
300
500
1.0 k
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500 700
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
h
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
Figure 4. Collector Saturation Region
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
25
°
C
55
°
C
I
C
= 1.0 mA
10 mA
150 mA
500 mA
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222ATTD | General Purpose Transistor |
| MMBT3906L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT3904L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT589LT1 | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor |
| MMBTA28-7 | MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2222ATT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222ATT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATTD | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222AT-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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