- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382338 > MMBT2222ATT1 (ON SEMICONDUCTOR) General Purpose Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2222ATT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistor |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 463-01, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | MMBT2222ATT1 |
MMBT2222ATT1
http://onsemi.com
4
Figure 5. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
50
100
200
t
10
20
70
5.0
100
5.0 7.0
30
50
200
10
7.0
30
20
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB(off)
= 2.0 V
t
d
@ V
EB(off)
= 0
3.0
2.0
300
500
500
t
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
Figure 6. TurnOff Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
70
100
5.0 7.0
30
50
200
300
500
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
′
s
= t
s
1/8 t
f
t
f
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0.1
Figure 8. Source Resistance Effects
R
S
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
N
1.0 2.0
5.0 10
20
50
0.2
0.5
0
0.01 0.02
100
N
0.05
R
S
= OPTIMUM
R
S
=
SOURCE
R
S
=
RESISTANCE
I
C
= 1.0 mA, R
S
= 150
500
μ
A, R
S
= 200
100
μ
A, R
S
= 2.0 k
50
μ
A, R
S
= 4.0 k
f = 1.0 kHz
I
C
= 50
μ
A
100
μ
A
500
μ
A
1.0 mA
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0
50
100
200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
Figure 9. Capacitances
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
3.0
5.0
7.0
10
2.0
0.1
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
0.2 0.3
0.5 0.7
C
cb
20
30
C
eb
Figure 10. CurrentGain Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
500
f
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
V
CE
= 20 V
T
J
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222ATTD | General Purpose Transistor |
| MMBT3906L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT3904L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT589LT1 | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor |
| MMBTA28-7 | MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2222ATT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222ATT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATTD | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222AT-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。