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參數資料
| 型號： | MMBT2907AE |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | TRANSISTOR |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | MMBT2907AE |
C
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
unit: mm
B E
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
E B
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors
MMBT2907AE
TRANSISTOR
DESCRIPTION
PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor
FEATURES
Complementary NPN Type available(MMBT2222AE)
PPLICATION
general purpose amplifier, switching.
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
MARKING:2F
C
2F
B E
MAXIMUM RATINGS
T
A
=
25
℃
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
V
CBO
Collector-Base Voltage
-60
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
-60
V
EBO
Emitter-Base Voltage
-5
I
C
Collector Current -Continuous
-600
P
C
Collector Dissipation
150
T
J
Junction Temperature
150
T
stg
Storage Temperature
-55to+150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
（
Tamb=25
℃
unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V
(BR)CBO
I
C
= -10
μ
A,I
E
=0
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CEO
I
C
= -10mA, I
B
=0
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR)EBO
I
E
=-10
μ
A,I
C
=0
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-50 V,I
E
=0
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -5V,I
C
=0
h
FE(1)
V
CE
=-10V,I
C
=-0.1mA
h
FE(2)
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
h
FE(3)
V
CE
=-10V,I
C
=-10mA
h
FE(4)
V
CE
=-10V,I
C
=-150mA
h
FE(5)
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA
V
CE
=-20V, I
C
=-50mA
f=
100MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=-10V, I
E
=
0
, f=
1M
Hz
V
CB
=-5V,I
c
=-0.1mA,
f=1KHz,Rs=1K
Units
V
V
V
mA
mW
℃
℃
）
MIN
-60
-60
-5
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
μ
A
μ
A
-0.01
-0.01
300
-1.6
-0.4
-2.6
-1.3
75
100
100
100
50
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE
(sat)
V
Transition frequency
f
T
200
MHz
8
pF
Noise figure
NF
4
dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904M | TRANSISTOR |
| MMBT3904T | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT3904T-7 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT3906E | TRANSISTOR |
| MMBT3906M | TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2907A-G | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT2907AGH | 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon |
| MMBT2907A-GS08 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2907A-HF | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT2907AK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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