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參數資料
| 型號： | MMBT3904T-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | MMBT3904T-7 |
DS30270 Rev. 2 - 2
1 of 3
MMBT3904T
MMBT3904T
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
·
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type Available
(MMBT3906T)
Ultra-Small Surface Mount Package
·
·
Characteristic
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
q
JA
T
j
, T
STG
MMBT3904T
60
40
6.0
200
150
833
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage and Temperature Range
°
C/W
°
C
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25
°
C unless otherwise specified
A
M
J
L
D
B C
H
K
G
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
·
Case: SOT-523, Molded Plastic
Case material - UL Flammability Rating 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking (See Page 2): 1N
Ordering & Date Code Information, See Page 2
Weight: 0.002 grams (approx.)
·
·
·
·
·
·
·
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layoutSOT-523
Min
Dim
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
Max
Typ
0.15
0.30
0.22
0.75
0.85
0.80
1.45
1.75
1.60
0.50
0.90
1.10
1.00
1.50
1.70
1.60
0.00
0.10
0.05
0.60
0.80
0.75
0.10
0.30
0.22
0.10
0.20
0.12
0.45
0.65
0.50
a
0
°
8
°
All Dimensions in mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906E | TRANSISTOR |
| MMBT3906M | TRANSISTOR |
| MMBT3906T | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT3906T-7 | High-Voltage, High-Current Operational Amplifier 5-TO-220 -40 to 85 |
| MMBT4401T | 12V, CMOS, Rail-to-Rail I/O, Operational Amplifier 14-TSSOP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT3904T-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-TR | 制造商:New Jersey Semi. 功能描述: |
| MMBT3904T-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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