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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4401T |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | 12V, CMOS, Rail-to-Rail I/O, Operational Amplifier 14-TSSOP |
| 中文描述： | npn型小信號晶體管表面貼裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | MMBT4401T |
DS30272 Rev. 2 - 2
1 of 3
MMBT4401T
MMBT4401T
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type Available
(MMBT4403T)
Ultra-Small Surface Mount Package
Characteristic
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
JA
T
j
, T
STG
MMBT4401T
60
40
6.0
600
150
833
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage and Temperature Range
C/W
C
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
A
M
J
L
D
B
N
C
H
K
G
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
Case: SOT-523, Molded Plastic
Case material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking (See Page 2): 2X
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Weight: 0.002 grams (approx.)
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
SOT-523
Min
Dim
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
Max
Typ
0.15
0.30
0.22
0.75
0.85
0.80
1.45
1.75
1.60
0.50
0.90
1.10
1.00
1.50
1.70
1.60
0.00
0.10
0.05
0.60
0.80
0.75
0.10
0.30
0.22
0.10
0.20
0.12
0.45
0.65
0.50
0
8
All Dimensions in mm
E
B
C
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4401T-7 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT4403T | 12V, CMOS, Rail-to-Rail I/O, Operational Amplifier 14-SOIC |
| MMBT4403T-7 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT01; No. of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight |
| MMBT6472LT1 | Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MMBTA42E | TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT4401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:TRANSISTOR NPN SO |
| MMBT4401T-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401T-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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