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參數資料
| 型號： | MMBT3906L |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MMBT3906L |
MMBT3904LT1
http://onsemi.com
3
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 4. Charge Data
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
Q
T
Q
A
C
ibo
C
obo
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 5. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
Figure 6. Rise Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
t
r
Figure 7. Storage Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Fall Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
50
100
200
300
500
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
t
f
t
s
′
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
40 V
15 V
2.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
t
′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
=
I
B2
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PDF描述 |
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