- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382338 > MMBT3906L (ON SEMICONDUCTOR) General Purpose Transistor(NPN Silicon) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBT3906L |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | MMBT3906L |
MMBT3904LT1
http://onsemi.com
5
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 15. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
V
CE
= 1.0 V
T
J
= +125
°
C
+25
°
C
55
°
C
Figure 16. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
I
C
= 1.0 mA
T
J
= 25
°
C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 17. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 18. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
C
200
1.0
1.5
2.0
200
°
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
=10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
=10
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE(sat)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT589LT1 | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor |
| MMBTA28-7 | MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP |
| MMBTA28 | MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP |
| MMBTH10-4LT1 | VHF/UHF Transistor (NPN Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT3906L-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE APPLIATION |
| MMBT3906L-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE APPLIATION |
| MMBT3906LP | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT3906LP-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIPOLAR TRANS PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906LP-7B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。