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參數資料
| 型號： | MMBT5551 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 高壓晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | MMBT5551 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT1 | 80V, 50mA Operational Amplifiers 7-DDPAK -40 to 125 |
| MMBT5551LT1G | 80V, 50mA Operational Amplifiers 7-TO-220 -40 to 125 |
| MMBT5551LT3 | High Voltage Transistors |
| MMBT5551LT3G | High Voltage Transistors |
| MMBT5551LT1 | High Voltage Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 |
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| MMBT5551_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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