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參數資料
| 型號： | MMBT918LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AF |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | MMBT918LT1 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
January, 2006 Rev. 5
1
Publication Order Number:
MMBT918LT1/D
MMBT918LT1
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
Features
PbFree Package is Available
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
V
CEO
15
Vdc
CollectorBase Voltage
V
CBO
30
Vdc
EmitterBase Voltage
V
EBO
3.0
Vdc
Collector Current Continuous
I
C
50
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR5 Board,
(Note 1) T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
556
°
C/W
Total Device Dissipation Alumina
Substrate, (Note 2) T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. FR5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
http://onsemi.com
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMBT918LT1
SOT23
3000 / Tape & Reel
MMBT918LT1G
SOT23
(PbFree)
3000 / Tape & Reel
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
M3B
M
= Device Code
= Date Code*
= PbFree Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
SOT23 (TO236)
CASE 318
STYLE 6
1
2
3
1
M3B M
MARKING DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA13LT1G | Darlington Amplifier Transistors |
| MMBTA14LT1G | Darlington Amplifier Transistors |
| MMBTA14LT1 | Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達林頓放大器晶體管) |
| MMBTA56LT1 | Driver Transistors PNP Silicon(PNP型驅動器晶體管) |
| MMBV109LT1G | Silicon Epicap Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 14 LT1 | 功能描述:達林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA 42 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 56 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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