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參數資料
| 型號： | MMBTH10D87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 8/14頁 |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MMBTH10D87Z |
Typical Characteristics
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
-
PO
W
E
R
DISS
IP
A
T
IO
N
(m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-T
YPI
CAL
PUL
SED
CUR
REN
T
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
20
0.05
0.1
0.15
0.2
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
EC
T
O
R-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CE
S
A
T
25 °C
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BASE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
β = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
S
E
-E
MIT
T
E
R
ON
V
O
L
T
AG
E
(V
)
BE
(O
N
)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
NT
(
n
A
)
A
V
= 30V
CB
O
°
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10D26Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10J05Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11D27Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH11J05Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11J18Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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