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參數資料
| 型號： | MMBTH10D87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 9/14頁 |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MMBTH10D87Z |
3
Common Base Y Parameters vs. Frequency
Input Admittance
100
200
500
1000
-120
-80
-40
0
40
80
120
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
INP
U
T
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(m
m
h
o
s
)
ib
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
g
ib
b ib
Output Admittance
100
200
500
1000
0
2
4
6
8
10
12
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
OUT
P
UT
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(m
m
h
o
s
)
ob
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
g ob
bob
Forward Transfer Admittance
100
200
500
1000
-120
-80
-40
0
40
80
120
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
F
O
RW
AR
D
AD
M
IT
T
AN
C
E
(
m
h
o
s
)
fb
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
g
fb
b fb
Reverse Transfer Admittance
100
200
500
1000
0
2
4
6
8
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
R
E
V
E
R
SE
A
D
M
IT
T
A
N
CE
(
m
mhos
)
rb
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
-g rb
-b rb
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10D26Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10J05Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11D27Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH11J05Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11J18Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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