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參數資料
| 型號： | MMFT1N10E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS |
| 中文描述： | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | MMFT1N10E |
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
RG
t
VDS
L
IL
VDD
Figure 9. Commutating Waveforms
tP
BVDSS
VDD
IL(t)
t, (TIME)
Figure 10. Commutating Safe Operating Area
(CSOA)
15 V
VGS
0
90%
IFM
dlS/dt
IS
10%
trr
tfrr
0.25 IRM
IRM
ton
VDS
Vf
VdsL
VR
VDS(pk)
MAX. CSOA
STRESS AREA
Figure 11. Commutating Safe Operating Area
Test Circuit
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Test Circuit
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
+
–
+
–
Figure 13. Unclamped Inductive Switching
Waveforms
VR
VGS
IFM
20 V
RGS
DUT
IS
VDS
Li
VR = 80% OF RATED VDSS
VdsL = Vf + Li
dlS/dt
I
5
0
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
0
20
40
60
80
100
120
140
1
0.5
dIS/dt
≤
400 A/
μ
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT1N10 | MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS |
| MMFT2N02EL | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
| MMFT2N25E | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
| MMFT5P03HDT3 | TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR |
| MMFT5P03HD | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMFT1N10ET1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| MMFT1N10ET3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MMFT1N20T1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMFT2406T | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 700 mA 240 VOLTS |
| MMFT2406T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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