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參數資料
| 型號： | MMG05N60D |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 中文描述： | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261A |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MMG05N60D |
5
Motorola Power Products Division Technical Data
t, TIME (ms)
r
R
1.0
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 30
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 12. Typical Thermal Response
inches
1.5
0.059
6.2
0.244
mm
1.5
0.059
1.5
0.059
2.0
0.079
2.3
0.091
4.6
0.181
2.0
0.079
3.8
0.15
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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