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參數資料
| 型號： | MPS6523 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 進步黨（放大器晶體管） |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 791K |
| 代理商： | MPS6523 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
NPN
PNP
Unit
Collector–Emitter Voltage
MPS6520, MPS6521
MPS6523
VCEO
25
—
—
25
Vdc
Collector–Base Voltage
MPS6520, MPS6521
MPS6523
VCBO
40
—
—
25
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
IC
PD
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Printed Circuit Board Mounting)
RJA
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RJC
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 0.5 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
25
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
(VCB = 20 Vdc, IE = 0)
MPS6520, MPS6521
MPS6523
ICBO
—
—
0.05
0.05
Adc
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MPS6520/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
*Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
Voltage and current are negative
for PNP transistors
COLLECTOR 3
2
BASE
1 EMITTER
COLLECTOR 3
2
BASE
1 EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6523 | Amplifier Transistors |
| MPS6520 | Amplifier Transistors |
| MPS6523 | PNP General Purpose Amplifier |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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