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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS6530 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistor |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | MPS6530 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
40
Vdc
Collector–Base Voltage
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
600
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
mW
Junction Temperature
TJ, Tstg
150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
0.2
°
C/mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IB = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(VCB = 40 Vdc, IE = 0, TA = 60
°
C)
ICBO
—
—
0.05
2.0
Adc
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by MPS6530/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
REV 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6560 | Audio Transistor |
| MPS6560 | NPN (AUDIO TRANSISTOR) |
| MPS6560 | Audio Transistor(NPN Silicon) |
| MPS6571 | Amplifier Transistor |
| MPS6601 | Amplifier Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MPS6531_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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