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參數資料
| 型號： | MPSA55RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 29/36頁 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MPSA55RL |
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DEVICE
REPLACEMENT
DEVICE
REPLACEMENT
DEVICE
REPLACEMENT
REPLACEMENT DEVICES
Replacement Devices
10–2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
1N5139
MV2101
1N5139A
MV2101
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BF245A
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BF256A
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BAS16LT1
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MAD1108P
BAS16LT1
MAD1109P
BAS16LT1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA55ZL1 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA06RLRE | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64J05Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA64D75Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64D74Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSA55RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA55RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA55T3 | 制造商:National Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, BJT, PNP, 60V V(BR) CEO, 500MA I(C), TO-92, FORMED LEADS |
| MPSA55-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
| MPSA55-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
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