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參數資料
| 型號： | MPSW45AZL1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| 中文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MPSW45AZL1G |
MPSW45, MPSW45A
http://onsemi.com
3
NOISE CHARACTERISTICS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C)
Figure 2. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
50
100
200
500
20
Figure 3. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 4. Total Wideband Noise Voltage
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k
Ω
)
Figure 5. Wideband Noise Figure
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k
Ω
)
5.0
50
70
100
200
30
10
20
1.0
10
10
20
50
100 200
500
1k 2k
5k 10k 20k
50k 100k
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈
0
I
C
= 1.0 mA
100 A
10 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
I
C
= 1.0 mA
100 A
10 A
e
i
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
I
C
= 10 A
100 A
1.0 mA
8.0
10
12
14
6.0
0
4.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
2.0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10 A
100 A
I
C
= 1.0 mA
V
N
10
20
50
100 200
500
1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW45G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSW45RLRE | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSW45RLREG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPTE-10 | 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
| MPTE-12 | 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW45G | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW45RLRE | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW45RLREG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW51 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW51_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors |
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