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參數資料
| 型號： | MRF136 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 211-07, 4 PIN |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | MRF136 |
TYPICAL CHARACTERISTICS
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage
Figure 9. Output Power versus Gate Voltage
Figure 10. Drain Current versus Gate Voltage
(Transfer Characteristics)
Figure 11. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
Figure 12. Capacitance versus Drain–Source Voltage
Figure 13. DC Safe Operating Area
12
16
20
24
28
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
14
18
22
26
2 W
IDQ = 25 mA
f = 400 MHz
Pin = 3 W
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
016
20
24
28
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
– 25
25
75
125
175
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0
50
100
150
0.94
–7
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
48
12
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
04
5
6
7
VDS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
12
3
0
100
180
60
40
20
–6
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
1 W
VDS = 28 V
ID = 750 mA
25 mA
500 mA
250 mA
130
20
50
100
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
23
5
0.1
10
70
10
5
3
2
1
0.3
0.2
VDS = 10 V
TYPICAL DEVICE
SHOWN, VGS(th) = 3 V
VDD = 28 V
IDQ = 25 mA
Pin = CONSTANT
TYPICAL DEVICE
SHOWN, VGS(th) = 3 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Coss
Ciss
Crss
TC = 25°C
400 MHz
150 MHz
I D
,DRAIN
CURRENT
(MILLAMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
GS
,GA
TE-SOURCE
VOL
T
AGE
(NORMALIZED)
5
REV 7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1507T1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF1508 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF1508T1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF1508 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF1511NT1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MRF13750HR5 | 功能描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:10μA 噪聲系數:- 功率 - 輸出:650W 電壓 - 額定:105V 封裝/外殼:SOT-979A 供應商器件封裝:NI-1230H-4S 標準包裝:1 |
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