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參數資料
型號: MRF19085R3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 584K
代理商: MRF19085R3
MRF19085R3 MRF19085LR3 MRF19085SR3 MRF19085LSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
FUNCTIONAL TESTS (In Motorola Test Fixture)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
Gps
13
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
36
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
-31
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
-12
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 850 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
90
W
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述
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