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參數資料
| 型號： | MRFG35005ANT1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | MRFG35005ANT1 |
MRFG35005ANT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
Customer Premise Equipment (CPE) applications.
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ =
80 mA, Pout = 450 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain — 11 dB
Drain Efficiency — 26%
ACPR @ 5 MHz Offset — -44 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
4.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
Features
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
30
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value (2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
13.7
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRFG35005AN
Rev. 2, 6/2009
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 4.5 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35005ANT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
Freescale Semiconductor, Inc., 2007-2009. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35005MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010AR5 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010R1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MRFG35005MT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35005MT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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| MRFG35005NT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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