- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄299522 > MT47H64M8CF-5EAT:F DDR DRAM, PBGA60 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MT47H64M8CF-5EAT:F |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數： | 1/139頁 |
| 文件大小： | 9398K |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁
DDR2 SDRAM
MT47H128M4 – 32 Meg x 4 x 4 banks
MT47H64M8 – 16 Meg x 8 x 4 banks
MT47H32M16 – 8 Meg x 16 x 4 banks
Features
Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
4 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1 tCK
Selectable burst lengths: 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8,192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options1
Marking
Configuration
– 256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 4 banks)
128M4
– 128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 4 banks)
64M8
– 64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)
32M16
FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (12mm x 12.5mm) Rev. B
CC
– 84-ball FBGA (10mm x 12.5mm) Rev. D
BN
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. F
HR
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 60-ball FBGA (12mm x 10mm) Rev. B
CB
– 60-ball FBGA (10mm x 10mm) Rev. D
B6
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. F
CF
FBGA package (lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (12mm x 12.5mm) Rev. B
GC
– 84-ball FBGA (10mm x 12.5mm) Rev. D
FN
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. F
HW
FBGA package (lead solder) – x4, x8
– 60-ball FBGA (12mm x 10mm) Rev. B
GB
– 60-ball FBGA (10mm x 10mm) Rev. D
F6
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. F
JN
Timing – cycle time
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
-25E
– 2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
-25
– 3.0ns @ CL = 4 (DDR2-667)
-3E
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
-3
– 3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
-37E
– 5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)
-5E
Self refresh
– Standard
None
– Low-power
L
Operating temperature
– Commercial (0°C ≤ TC ≤ 85°C)
None
– Industrial (–40°C ≤ TC ≤ 95°C;
–40°C
≤ TA ≤ 85°C)
IT
– Automotive, Revision :D only
(–40°C
≤ TC, TA ≤ 105°C)
AT
Revision
:B/:D/:F
Note: 1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on www.micron.com for
product offerings and availability.
512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
PDF: 09005aef82f1e6e2
Rev. M 9/08 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| MT49H8M36HU-33 | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| MT4C1024DJ-6L | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| MT4C2M8A1DJ-7STR | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO28 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。