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參數資料
| 型號： | MTM60N06 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 60 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | MTM60N06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP1302 | TMOS POWER FET 42 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 22 mohm |
| MTP1306 | TMOS POWER FET 75 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.0065 OHM |
| MTP15N06V | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM |
| MTV32N20E | TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM |
| MTW16N40E | TMOS POWER FET 16 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.24 OHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTM684100LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM684110LBF | 功能描述:MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM6N55 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transistor |
| MTM761100LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM76111 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:VIN = 2.9V to 5.5V 2ch,0.8A General-purpose High Efficiency Power LSI |
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