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參數(shù)資料
| 型號： | MUBW30-12A6 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module |
| 中文描述： | 31 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 290K |
| 代理商： | MUBW30-12A6 |
2000 IXYS All rights reserved
5 - 8
MUBW 30-12 A6
, W
W
$ V
PV
V
,
)60
$
9
)
,
)
W
$
7
9-
&
7
9-
&
PD[
W\S
[9
550
+]
7
9-
&
7
9-
&
9
7
9-
&
7
9-
&
Forward characteristics
Surge overload current
I
FSM
: crest value, t: duration
I
2
t
versus time (1-10 ms)
Z
thJH
[K/W]
0.01
0.0001
0.001
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
D = 0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
Input Rectifier Bridge D8 - D13
(Z
is measured using 50 μm
thermal grease)
Transient thermal resistance junction to heatsink
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MUN2111T3G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2115T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2130T1G | Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUBW30-12A6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW30-12E6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW35-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MUBW35-06A6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW35-12A7 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 35 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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