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參數(shù)資料
| 型號： | MUBW30-12A6 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module |
| 中文描述： | 31 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | MUBW30-12A6 |
2000 IXYS All rights reserved
8 - 8
MUBW 30-12 A6
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
m
s
120
140
160
180
200
220
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
0
200
400
600
di
F
/dt
800
m
s
1000
0
40
80
120
0.0
0.4
0.8
1.2
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
0
10
20
30
40
50
60
A
100
1000
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
m
C
t
rr
ns
t
fr
A/
m
s
m
s
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 600V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 30A
Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 600V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 600V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
Q
r
I
RM
Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
23-12
Transient thermal resistance junction to heatsink
Output Inverter D1 - D6
(Z
is measured using 50 μm
thermal grease)
WK-+
'
'
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'
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW50-06A8 | Converter - Brake - Inverter Module (CBI3) |
| MUN2134T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2111T3G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2115T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2130T1G | Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUBW30-12A6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW30-12E6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW35-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MUBW35-06A6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW35-12A7 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 35 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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