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參數資料
| 型號： | MWI75-12E8 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Modules |
| 中文描述： | 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-19 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | MWI75-12E8 |
2004 IXYS All rights reserved
4 - 2
MWI 75-12 A8
4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
40
80
120
160
0
8
16
24
32
0
2
4
6
8
0
40
80
120
I
C
160
0
5
10
15
20
0
25
50
75
10
ns
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
10
20
30
40
R
G
50
60
0
5
10
15
0
0
10
20
30
40
R
G
50
60
0
8
16
24
32
0
2
4
6
8
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
V
CE
0
50
100
150
200
I
C
A
A
E
off
E
on
t
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
t
n
I
CM
K/W
Z
thJC
V
mJ
mJ
ns
Eon
single pulse
diode
IGBT
ns
Eon
td(on)
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 75 A
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 75 A
T
VJ
= 125°C
A
R
G
= 15
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 15
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 15
T
VJ
= 125°C
td(on)
MWI75-12A8
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