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參數資料
型號: NAND512W4M5CZC5E
廠商: 意法半導體
元件分類: 存儲器模塊
英文描述: 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
中文描述: 同一封裝內整合了256/512Mb/1Gb(x8/x16,1.8/3V,528字節頁)NAND閃存以及256/512Mb(x16/x32,1.8V的)LPSDRAM的MCP
文件頁數: 18/23頁
文件大小: 181K
代理商: NAND512W4M5CZC5E
Package Mechanical
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
18/23
Figure 8.
TFBGA149 10x13.5mm - 12x16 active ball array, 0.80mm pitch, Bottom Outline
TFBGA149 10x13.5mm - 12x16 active ball array, 0.80mm pitch, Mechanical Data
A2
A1
A
BGA-Z78
ddd
D
E
e
b
SE
FD
FE
E1
e
SD
D1
BALL "A1"
Table 7.
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.250
0.0098
A2
0.800
0.0315
b
0.450
0.400
0.500
0.0177
0.0157
0.0197
D
10.000
9.900
10.100
0.3937
0.3898
0.3976
D1
8.800
0.3465
ddd
0.100
0.0039
E
13.500
13.400
13.600
0.5315
0.5276
0.5354
E1
12.000
0.4724
e
0.800
0.0315
FD
0.600
0.0236
FE
0.750
0.0295
SD
0.400
0.0157
SE
0.400
0.0157
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PDF描述
NAND512R4M2CZB5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND512W3M5BZB5F 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAS-xxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NASxxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
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參數描述
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