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參數(shù)資料
| 型號： | NCN6004A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Dual SAM/SIM Interface Integrated Circuit |
| 中文描述： | 雙軟管/ SIM卡接口集成電路 |
| 文件頁數(shù)： | 23/40頁 |
| 文件大小： | 329K |
| 代理商： | NCN6004A |
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NCN6004A
http://onsemi.com
23
When the output voltage reaches the specified value
(1.80 V or 3.0 V or 5.0 V), Q1 and Q16 are switched
OFF immediately to avoid over voltage on the output
load. In the mean time, the two extra NMOS Q2 and
Q3 are switched ON to fully discharge any current
stored into the inductor, avoiding ringing and
voltage spikes over the system. Figure 16 illustrates
the theoretical basic waveforms present in the
DC/DC converter.
The control block gives the logic states according to the
bits provided by the external P. These controls bits are
applied to the selected DC/DC converter to generate the
programmed output voltage. The MOS drive block includes
the biases necessaries to drive the NMOS and PMOS
devices as depicted in the block diagram given Figure 15.
U1
R2
R3
R4
Vref
L
V0
PWR_ON
Overload
VCC_OK
Voltage Regulation
GND
Vcc
Vref_1.8/3/5 V
5.0 V
PGM
CARD_SEL
A0
A1
A2
D
PWR_ON
A3
Q1
Q4
Q15
Q16
L1
C1
Vcc
28
PWR_GND
CRD_VCC_A
29
GND
GND
M
G_Q1
G_Q2
G_Q7
G_Q3
G_Q4
G_HIZ
GND
Q3
Q2
Q5
V1
V
R1
Q7
Q6
5.0 V
GND
Figure 15. Basic DC/DC Converter Diagram
CS
10 F
C2
GND
10 F
GND
22 H
27
26
25
U2
R6
R7
R8
Vref
L
V0
PWR_ON
Overload
VCC_OK
Voltage Regulation
GND
Vcc
Vref_1.8/3/5 V
5.0 V
Q8
Q11
Q17
Q18
L2
C3
Vcc
PWR_GND
CRD_VCC
32
GND
M
GND
G_Q1
G_Q2
G_Q7
G_Q3
G_Q4
G_HIZ
GND
Q10
Q9
Q12
V1
V
R5
Q14
Q13
3.0 V
GND
10 F
C4
GND
10 F
GND
22 H
34
35
36
33
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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