型號(hào): | NE34018 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
中文描述: | 募到S波段低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/16頁(yè) |
文件大小: | 114K |
代理商: | NE34018 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NE34018-T1 | SR BTS VERT LFT 4 ASY PLU |
NE34018-T2 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
NE416 | NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR |
NE4210M01-T1 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
NE42484A | NONLINEAR MODEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE34018-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NE34018-64-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
NE34018-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
NE34018-EVGA19 | 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 For NE34018-A Gain at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |
NE34018-EVNF19 | 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 For NE34018-A Noise Figure at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |