- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361111 > NE42484A (NEC Corp.) NONLINEAR MODEL PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE42484A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NONLINEAR MODEL |
| 中文描述： | 非線性模型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | NE42484A |
Parameter
capacitance
inductance
resistance
Units
picofarads
nanohenries
ohms
Parameters
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
GAMMADC
(2)
Q1
-0.75
0
7
0.21
0.09
0.08
2.1
1.2
1
1e-14
1
0
0
7e-12
0.15e-12
900
1.1e-10
0.25e-12
0.04e-12
0.3
0
0.5
Infinity
Parameters
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
2.5
2.5
4.1
0
0
1
27
3
1.43
0
0
1
Q
DELTA
VBI
IS
N
RIS
RID
TAU
CDS
RDB
CBS
CGSO
(3)
CGDO
(4)
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
NONLINEAR MODEL
California Eastern Laboratories
NE42484A
SCHEMATIC
(see Page 2)
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 16 GHz
V
DS
= 1 V to 3.5 V, I
D
= 10 mA to 40 mA
11/15/96
(1) Series IV Libra TOM Model
The parameter in Libra corresponds to the parameter in PSpice:
(2) GAMMADC
(3) CGSO
(4) CGDO
GAMMA
CGS
CGD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE46100 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
| NE46134 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
| NE46134-T1 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
| NE52118 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT |
| NE52118-T1 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE425S01 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE425S01_98 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE425S01-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE425S01-T1B | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE425S01-T1B-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA 4-Pin Case S01 T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。