型號: | NE46100 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
中文描述: | 鄰舍npn型中功率微波晶體管 |
文件頁數: | 1/10頁 |
文件大?。?/td> | 137K |
代理商: | NE46100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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NE46134 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
NE46134-T1 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
NE52118 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT |
NE52118-T1 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT |
NE521DG | High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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NE46134 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
NE46134-AZ | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
NE46134-T1 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
NE46134-T1-AZ | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
NE46134-T1-QS-AZ | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |