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參數資料
| 型號： | NE71084-06 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| 中文描述： | 低噪聲谷K波段GaAs MESFET器件 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | NE71084-06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE71084-08 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE721S01 | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| NE721S01-T1 | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| NE721S01-T1B | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| NE76038 | LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE71084-08 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
| NE71100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | CHIP |
| NE71111 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | TO-18 |
| NE713 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE71300 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
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