型號: | NSS20201MR6D |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
英文描述: | 20 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
中文描述: | 20五,3甲,低Vce(sat)NPN晶體管 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 38K |
代理商: | NSS20201MR6D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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NSS20201MR6T1G | 20 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
NSS30070MR6T1G | 30 V, 0.7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V, 0.7A, 低VCE(sat) PNP晶體管) |
NST30010MXV6T1G | Dual Matched General Purpose Transistor(雙通用晶體管) |
NST3946DW1T1 | Dual General Purpose Transistor |
NST3946DXV6T5 | Dual General Purpose Transistor(雙通用晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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NSS20201MR6T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 20V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
NSS20201MR6T1G_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:20 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
NSS20300MR6T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 20V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
NSS20300MR6T1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
NSS20500UW3T2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |