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PMCM6501UPEZ

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  • 封裝
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  • PMCM6501UPEZ
    PMCM6501UPEZ

    PMCM6501UPEZ

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • NAX000

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PMCM6501UPEZ
    PMCM6501UPEZ

    PMCM6501UPEZ

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 45000

  • NEXPERIA/安世

  • WLCSP63-2

  • -
  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • PMCM6501UPEZ
    PMCM6501UPEZ

    PMCM6501UPEZ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • PMCM6501UPEZ
    PMCM6501UPEZ

    PMCM6501UPEZ

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 69381

  • Nexperia

  • WLCSP-6

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
PMCM6501UPEZ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
PMCM6501UPEZ 技術參數
  • PMCM440VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):360pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:4-WLCSP(0.78x0.78) 封裝/外殼:4-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM4401VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):415pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:4-WLCSP(2x2) 封裝/外殼:4-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM4401VNEAZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):335pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:4-WLCSP(2x2) 封裝/外殼:4-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM4401UPEZ 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):420pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):95 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:4-WLCSP(0.78x0.78) 封裝/外殼:4-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMC-GASKET-01 功能描述:PMC EMC GASKET O RING (1070010-0 制造商:wakefield-vette 系列:- 零件狀態:在售 配件類型:墊圈 配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:100 PMCS101 PMCS50 PMCXB1000UEZ PMCXB900UE PMCXB900UELZ PMCXB900UEZ PMD PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN
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