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PMPB12UN,115

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMPB12UN,115
    PMPB12UN,115

    PMPB12UN,115

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 15871

  • NXP USA Inc.

  • 6-UDFN Exposed Pad

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • PMPB12UN,115
    PMPB12UN,115

    PMPB12UN,115

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 6-DFN2020MD(2x2)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 20V 7.9A...

  • PMPB12UN,115
    PMPB12UN,115

    PMPB12UN,115

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 12000

  • NXP

  • 6DFN

  • 13+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
PMPB12UN,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMPB12UN/SOT1220/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH SINGLE 20V 6DFN
PMPB12UN,115 技術參數
  • PMPB11EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):20.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):840pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB10XNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2175pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 9A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB10XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2175pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 9A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMP8372 功能描述:TPS7A3301, TPS7A4700, TPS84250, TPS84259 - Reference Design Evaluation Board 制造商:american p.c.b company 系列:- 零件狀態:停產 主要用途:參考設計 嵌入式:- 使用的 IC/零件:TPS7A3301,TPS7A4700,TPS84250,TPS84259 主要屬性:- 輔助屬性:- 所含物品:裸板 標準包裝:1 PMP7993 功能描述:LM5017 - DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:american p.c.b company 系列:- 零件狀態:停產 主要用途:DC/DC,步降 輸出和類型:1,非隔離 功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:- 電流 - 輸出:- 電壓 - 輸入:- 穩壓器拓撲:降壓 頻率 - 開關:- 板類型:裸(未填充) 所含物品:板 使用的 IC/零件:LM5017 標準包裝:50 PMPB20ENZ PMPB20LNAX PMPB20SNAX PMPB20UN,115 PMPB20XNEAX PMPB20XNEAZ PMPB20XPE,115 PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEAX PMPB23XNE,115 PMPB23XNEZ PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX
配單專家

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