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PMDPB65UP

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET PP CH 20V 3.5A SOT1118
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, PP CH, 20V, 3.5A, SOT1118
PMDPB65UP 技術參數
  • PMDPB58UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):804pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB56XNEAX 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 3.1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):256pF @ 15V 功率 - 最大值:485mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020D-6 標準包裝:1 PMDPB56XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.1A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):73 毫歐 @ 3.1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):170pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標準包裝:1 PMDPB55XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):785pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB42UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 3.9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):185pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標準包裝:1 PMDR-0-9 PMDR-1 PMDR-10-19 PMDR-2 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9
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